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微納光學技術與應用范文第1篇

英文名稱：Optics & Optoelectronic Technology

主管單位：湖北省科學技術協會

主辦單位：華中光電技術研究所;湖北省光學學會

出版周期：雙月刊

出版地址：湖北省武漢市

語

種：中文

開

本：大16開

國際刊號：1672-3392

國內刊號：42-1696/O3

郵發代號：38-335

發行范圍：國內外統一發行

創刊時間：2003

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微納光學技術與應用范文第2篇

光學之芒,燦爛輝煌。在光學的領域里,他頭頂著太多的“光環”,卻沒有絲毫松懈,肩負著無限重任,但始終沉著、堅毅。他淵博寬厚,抱定赤子之心,十余載春秋獻身中國光學領域,他就是首都師范大學物理系研究員、系科研副主任張巖。

九天攬月鴻鵠志 步步為營創輝煌

在通往科學高峰的路上,張教授一路前行,品嘗著希望與困難,交融著榮耀與汗水,深造期間,他用不懈的努力換來了中國光學科技前沿領域的重大突破。讀研期間,他同導師劉樹田教授一起在國內率先開展光學分數傅立葉變換的研究。為利用光學分數傅立葉變換進行信息處理鋪平了道路。在中科院物理所攻讀博士學位期間,開拓了分數傅立葉變換在光學信息處理領域中的應用,被評價是國內在現代光學技術科學領域研究工作中的優秀成果具有國際先進水平。

1999-2001年,他獲得日本學術振興會博士后基金資助,在日本山形大學工學部從事生物成像研究,被應用在實際的儀器上。2001-2002年,他在香港理工大學電子工程系從事光纖氣體傳感器研究。其研究內容被收錄在《光纖傳感技術新進展》一書中,已出版發行。2002-2003年,他在德國洪堡基金的資助下在德國斯圖加特大學應用光學研究所任洪堡研究員,從事數字全息重建算法的研究,提出了利用相位恢復算法來進行數字全息重建的新方案,引起了同行的重視和肯定。這部分內容作為美國Nova Science出版社的新書《New Developments in Lasers and Electro-Optics Research》中的一章,已經出版發行。

2003年,他進入首都師范大學物理系工作,先后獲得了北京市科技新星計劃,北京市留學人員擇優資助等人才項目的資助。作為北京市“太赫茲波譜與成像”創新團隊的核心成員,主要從事太赫茲波譜與成像,太赫茲波段表面等離子光學和微納光電子器件設計研究。他提出的多波長成像方法得到了美國Rice大學太赫茲研究者Mittleman的認可,被評價為不僅可以有效地增加成像范圍,還可以提高信噪比。多篇論文被太赫茲領域的虛擬期刊收錄。并于2007年和2009年分別到美國倫斯特理工大學和德國康斯坦茨大學進行訪問研究。

歡聲震地 驚退萬人贏戰績

微納光學技術與應用范文第3篇

關鍵詞：光子晶體；硅基光電子學；集成光回路

中圖分類號：TN256 文獻標識碼：A 文章編號：1671-2064（2017）08-0230-01

1 光子晶體

光子在傳播時，遇到周期排布的介電常數材料，將會產生布拉格散射，因而會產生光子能帶與帶隙，使光子晶體具有光半導體的性質[1-2]。目前來說，我們主要靠對于缺陷的引入來實現對光子的局域化控制。缺陷有兩種基本形式：線缺陷和點缺陷。當引入線缺陷時，對于處在光子晶體禁帶能量的光子，它不能逃逸進入周圍的光子晶體當中，因而只能沿著線缺陷的確定路徑傳播。光子晶體波導對于光的傳輸性能強過傳統的波導物質，例如光纖。光纖依靠全反射作用來實現光的傳輸，但在較大轉彎角處由于不再滿足全反射條件而會有光子逃逸。在微納尺度上使用光子晶體波導的傳輸效率更高。光子晶體憑借它的特點，被廣泛研究。例如一些應用于各個不同的光頻段，有的看重更低的損耗、小限制的傳播窗口，還有一些則具有特殊用途（減緩光速）。

自從光子晶體的概念被提出以來，它就和它的蘊含的巨大應用價值聯系在一起。[3]它那特有光子帶隙能夠抑制物質的自發輻射，而這可以用于制作全反射鏡。另外，我們在其中引入缺陷，可以制成缺陷模，而缺陷模可以用制作微腔、波導、光開關、甚至人們熟知的激光器和探測器等等。總之，集成光電子學是光子晶體主要的活躍范圍，但是同時光子晶體在其他各個方面也有著重要的應用價值，它可以提高現今不斷走進我們日常生活的發光二極管的工作效率。

2 硅基光電子學

由于硅基半導體集成電路在生產規模和成本方面具有明顯的優勢， 所以現階段人們嘗試用硅作為制作納米級電子器件的主要材料，來縮減在Ⅲ-Ⅴ族元素中尋找材料制作具有相同目的的微納光電子器件的成本，現階段人們憑借已知的硅在1.3～1.5μm通信波段具有的低功耗的優勢，并以此為基礎，已經成功生產出大量的硅基微納光電子器件，就比如說此類的耦合器、光波導器件等。雖然說現階段硅基微納光電子器件已經具有相當明顯的優勢，但為了它在具體應用的過程中保證夠達到預期的應用效果，我們需要對其部分性能進行有效的優化。只要硅基微納光電子器件在性能方面能夠不斷地優化、我們的技術能夠不斷完善，它的應用空間就會得到擴展。

在對硅光晶體的研究中，我們已經看到：在硅基材料中引入光子晶體可以明顯的提高它的發光效率。憑借這我們可以預見：隨著新型硅基高效發光材料研究的不斷深入，新型制備技術如電注入泵浦方法的突破和光子晶體物理性質研究的深入，以及對于高效硅基材料的發光特性使用光子晶體的局域光效應加以控制，就很有可能提高硅基材料的l光增益，以此實現擁有低閾值的硅基激光器制備，進而可以在微電子芯片中利用光子替代電子作為載體來實現光耦合互聯，消除電子傳播發熱的劣勢，這樣就可以突破電子瓶頸效應。[4]

3 集成光回路

和普通的信息處理相似，信息處理“全光子化”，就是指利用光來進行信息傳遞。它的概念包涵了光信號的發出、它的調節、對光信號的接收、對于信號的處理、信號的返回的整個過程。作為光信號的來源的有源發光器以光子晶體為基礎，光信號又受到光子晶體制成的光開關調節和制約。光子晶體波導還能實現對于信號的傳輸與分流的作用，根據第二節提到線缺陷波導的傳輸優勢，能夠實現高效率低損耗，每個分路又要經波分復用器件下載，各個分路中的光信號在各自受到新的調制后，重新匯聚到干路， 回到接收裝置。因為每一部分的各個部件在所用材料與大小上近乎一致，我們知道，傳統光學器件的大小在厘米尺寸，微小的加工誤差都會導致其工作頻率的較大改變，因而產生光模式不匹配的問題，都會有較大的功率損耗，微型化的光子器件能避免這一問題。同時相同材質大小統一也方便光路一體化的實現。再加之與日益成熟的制備技術相適應，將會為全光路信息傳遞集成化鋪就道路。

4 問題分析與展望

二十多年過去了，經過這些年的發展，光子晶體理論已經不斷發展完善，我們也已經在其原理、設計取得了不斷進步。二維光子晶體的制備相對容易，已有諸如反應離子刻蝕和深紫外曝光等成熟技術。相對來說，對于集成光路更重要的三維光子晶體制備技術目前還不成熟，已有一些方法但還不能大規模集成化應用，因此是關鍵發展方向。但是現有制備技術還是不完美，仍然有許多難題、核心關鍵有待克服。例如，二維晶體中的誤差控制，由于我們使用的光子頻率都在納米量級，晶體中幾何上的微小誤差都會導致對調制頻率的影響，進而影響發射接收以及模式匹配。而我們需要將制備技術的精度提升到亞納米量級，才可以制備出高Q值的微腔，我們需要這樣一個可行的、簡便的方法。隨著光子晶體各種特殊現象、性質在被不斷發現，一些新的研究方向隨之提出，或許一些新的性質會隨著人們對于光子晶體的不斷發掘而被發現。

在硅基有源器件方面：我們仍對于滿足電泵浦、通信波段、產品化的硅基光源探尋不深，其中就包括擁有低閾值特性的III-V鍵合光源，十分穩定的、使用低電壓驅動的鍺激光器，還有以Er離子為基礎的電泵硅激光器；我們仍需在調制器上努力以滿足需求。鍺探測器的暗電流制約其發展，為能夠大規模量產，需新技術降低暗電流。

在硅基無源器件方面：問題之一就是硅基波導材料實現低損耗需要特殊工藝處理，因而無法實現大規模電路集成；其二為實現光柵的高耦合效率需要增加反射層，使得工藝更為復雜；這些器件的加工工藝急需簡化，使其能用標準的CMOS工藝制備。在硅基光電集成方面：怎樣將光纖和波導高效耦合是一個難題；因為硅基光電子器件的多樣性，所以需要化為統一標準。另外加工平臺成本較高。此外，硅的高熱光系數使得其光學性能受溫度影響，這一點是器件設計上的難題。封裝也不容忽視。因此，為了硅基光電子集成投入量產，我們需要在材料、工藝、設計等方面進行研究。

展望未來它將幫助我們實現高速、低能耗的探測器設計；擁有低損耗的硅基激光器；十分高效的硅基光電子集成；高計算速率的光電接口；大能夠投入量產的大規模集成設備。

5 結語

在科學研究興盛的當下，人們對于生產生活的需要往往能帶動一種新的科學技術的出現與發展，沒有人們需求的推動新的學說只是空想。新興生產技術的完善與發展也是需要科研工作者們堅持不懈的探索與嘗試。光子晶體獨特的性質備受關注，全世界的科研人員都對它抱有濃厚興趣，最初的概念現今已經拿出了實體成果，我們可以看出對于它的研究人們走過的路程。在光子晶體的實用方面，我們以降低制作難度，減小制作成本，降低不確定性與不穩定性為目標，這也是為實現光學集成所必須做出的雖然這里仍有許多難題等待突破，但是我們仍在為之奮斗。

參考文獻

[1]彭英才，Seiichi Miyazaki，徐駿，陳坤基.面向21世紀的Si基光子學Chinese Journal of Nature.

[2]倪培根.光子晶體制備技術和應用研究進展.物理學報，第59卷第1期2010（1）.

微納光學技術與應用范文第4篇

【關鍵詞】 機械工程 研發應用 發展策略

隨著時代的發展與能源的耗費，21世紀人類社會面臨資源枯竭、氣候變暖、環境惡化、人口增加四個問題，面臨著嚴峻挑戰。我國要向“制造強國”的戰略轉變，要實現此戰略轉移，關鍵在于制造技術的不斷發展，為了采取應對未來機械工程的發展，需要正確認識、預測工程面臨這些挑戰，并且加強制造科技創新能力，提升我國機械工程的不斷發展[1]。

1 機械工程學科的定義與進展綜述

1.1 機械工程學科定義

機械工程學科包括機械學和制造科學兩大領域，主要是研究機械系統的性能、設計及制造的理論和技術的科學。其中機械學是研究機械結構和系統性能的學科，包括制造過程中的機構學、設計學、動力學、傳動學、摩擦學、仿生機械學以及微納機械學等；制造科學是研究制造過程及其系統的科學，制造科學包括產品設計、成形制造、加工制造、測量及儀器、表面功能結構制造、微納制造以及制造系統運作管理等科學。

1.2 我國機械工程研究進展綜述

機械工程研究推動世界制造技術發展的主要動力，我國的機械工程技術雖然起步較晚，但是在航空、家電、微電子、石化、工程機械等行業，機械工程自主創新以及取得了長足的發展，為我國機械工程發展提供了大批新理論、新技術和新方法，為促進我國經濟發展提供了技術支持，下面將介紹我國機械工程重點領域的發展情況[2，3]。

1.2.1 機械動力學與傳動學科發展

非線性動力學、復雜機電系統智能維護是當前機械動力學的前沿領域。聞邦椿率先提出振動利用工程的概念，采用動態設計方法，創建了振動利用工程學科。近年來，機械傳動和控制的研究主要是高效、低能耗以及微型化。在相關的研究中，超聲電機是較為典型的傳動機械，它突破了傳統電磁效應電機原理，具有結構簡單、噪聲低等優點。王家序等針對船舶推進系統的污染問題，提出了新型復合材料水動密封軸承，節省了大量貴金屬、減少了對河海水的污染，得到了廣泛應用。

1.2.2 仿生機械和生物制造領域發展

機械工程學科與納米科學、生物科學的交叉近年來的研究熱點，其中仿生機械學已經成為一門新學科。任露泉通過研究動物表面脫附減阻，采用仿真模擬和理論分析，開辟了我國機械仿生學領域，近年來根據該理論研制的機械已經應用于農業機械和國防工程。

1.2.3 機械測量學科領域發展

近年來機械工程研究中，機械測量產生原創性成果最多的領域，關于極端環境條件、智能數字化以及尺寸的測量是測量領域的主要發展方向。葉聲華等利用多種靶標特殊幾何結構，制備了能夠用于空間大尺寸測量的裝置，測量結果穩定性好，現已用機和汽車工業。張書練等正交偏振激光器為核心，研發了精密測量儀器。秦樹人等提出了“智能虛擬控件”概念，并在此基礎上研制獲得可直接用于組建儀器產品的虛擬產品，該技術已經廣泛用于教學測量分析中。

1.2.4 加工制造與設計學科領域

加工制造學科的發展重點在于高效、高精度以及柔性數字智能自動化制造技術的研究。康仁科等針對天線罩電性能的特殊要求，構建相關的理論模型，實現了測量加工一體化的精密修磨技術。譚建榮提出并實現了產品配置等4項設計技術，從而實現了機電產品的功能定制設計。黃慶學等自主設計制造中厚板剪切裝備，打破了國外產品的壟斷局面。韓旭提出高精度數字化模型的建模方法，提出了應用于汽車零部件的結構優化設計技術。

1.2.5 微納制造與納米加工領域

目前微型機械系統發展的主要趨勢是工程性能優化、智能系統集成、批量低成本；而納米加工主要研究是材料加工方法、尺度效應、納米結構及系統的制造。在微納系統設計制造方面，苑偉政等提出了MEMS集成設計工具，支持慣性、壓力、光學、射頻等器件的建模、仿真與分析，能夠為機械、電子等不同工程背景設計人員提供多層次、多入口的任意流程設計。

納米加工領域主要研究是納米納米梁、橋、探針、納機電諧振器結構。董申等采用原子力顯微鏡機械耕犁加工方法，加工出多種復雜納結構。周明等在飛秒激光生物分子納米加工。中科院物理所成功研制出具有對稱式機械結構的雙探針掃描隧道顯微鏡探頭，提高了STM系統的信噪比，并應用于實際。

2 機械工程科學發展總趨勢

我國的在機械工程科學雖然已經取得較大的進展，但是總體上還處于落后狀態。未來機械工程學科將主要受到制造業的創新發展和學科的演變進步的推動與制約，因此我國機械工程新技術的發展，需要適應全球化、信息化、綠色化、知識化和極端化的總趨勢發展，為制造業提供先進的制造技術。由于我國資源和環境將在未來面臨空前的嚴峻挑戰，因此機械工程新技術的發展需要重視環境的保護、材料和能源的節省以及新能源制造領域的研究[4]。

3 機械學發展展望

（1）機械工程學科中機構學是代表性學科之一，因為機構學研究注重機構學基礎理論以及注重與制造的學科交叉，從而使機械工程理論與關鍵技術能夠同時取得突破，制備開發出性能優良的設備，在機器人機構、工程機械、以及仿生機構等工程機構學大有用武之地。

（2）我國的機械設計理論與技術落后，導致中高端技術裝備中自主產權的產品少，因此應該重點推動復雜系統總體設計、復雜機電系統的概念設計、設計支撐系統、基于網絡的系統性能仿真虛擬設計等領域的理論、方法和技術的發展，提升機械設計的發展。

4 結語

目前我國的機械工程科學還處于相對落后的階段，具有較大的發展空間，為了促進我國機械工程新技術的發展，需要制定學科的長遠發展規劃，加強原創性理論研究以及新技術方法的支持力度，力爭在2020年前后，使我國的機械與制造學科總體上進入國際先進行列，促使我國制造業產生更多的高技術產品和世界名牌企業。

參考文獻：

[1]中國科學技術協會.2008―2009機械工程（機械制造）學科發展報告[M].北京：中國科技出版社，2009.

微納光學技術與應用范文第5篇

關鍵詞：集成化；微光學標簽；微型二維碼；小透鏡陣列

中圖分類號：TP309.7 文獻標識碼：A 文章編號：2095-1302（2013）03-0015-03

0 引 言

隨著科學技術的不斷發展，各種條形碼正快速地進入人們日常生活和工作的各個方面，給人們的生活和工作帶來了極大的便利[1]。目前，一維條碼和射頻識別（RFID）在社會上應用非常廣泛，但隨著應用領域的不斷擴大，一維條碼和RFID也開始顯現出了它們的不足。例如，存儲容量小，安全性低，體積大，價格貴等[2]。在2009年，美國麻省理工學院多媒體實驗室研究人員發明出了一種光學標簽，它存儲的數據要比同樣尺寸條形碼多數百萬，而且還沒有RFID的安全疑慮，同時這種名為Bokode標簽的大小只有3 mm，比傳統條形碼小很多[3]。在2011年，南京郵電大學光電工程學院設計并制作了有源和無源微光學標簽系統[4-5]。本文根據Bokode標簽原理設計并制作一種集成化微光學標簽系統，其發射端采用集成化方式，接收端用手機相機接收。該系統能低成本、大規模地應用微光學標簽。

1 微光學標簽系統結構與原理

微光學標簽系統結構如圖1所示，其主要包括集成化發射端和接收端兩個部分。集成化發射端由LED、微型二維碼、小透鏡組成；接收端采用手機相機接收微型二維碼圖像，并利用手機中解碼軟件來解碼。由于手機相機焦距和光圈都已確定，要滿足標簽微型化及手機相機接收要求，我們主要設計發射端，即微光學標簽。

微光學標簽系統原理圖如圖2所示。微光學標簽小透鏡為孔徑光闌，其孔徑為b，焦距為fb，微型二維碼位于微光學標簽小透鏡的物方焦面上；手機相機物鏡為視場光闌，其孔徑為a，焦距為fc；u為探測距離。在文獻[3]中，由于公式的推導是基于相機探測距離u遠遠大于fb的情況，沒有考慮到近距離探測情況，不具有普遍性，所以本文下面將具體探討一般情況下公式的推導。在一般情況下，需要考慮到視場光闌的因素，視場光闌通過其前面小透鏡在物空間中成的像a為入窗，它限制了能觀測到的微型二維碼。設能夠看到的微型二維碼碼塊尺寸為d，入窗與微型二維碼的距離為x，F到相機物鏡中心的距離為x。根據牛頓公式xx=fb2和垂直放大率公式[6]=x/fb得a=a=afb/x，再由計算。再運用光學系統共焦成像放大率公式[6]算出微型二維碼成像碼塊尺寸：

2 集成化發射端的設計與制作

2.1 微光學標簽的設計

中國移動使用的QR Code標準為GB/T 18284—2000，該標準中的最高容量版本40的模塊數為177×177[7]。為滿足終端裝置即手機的識讀，每個模塊至少占4個像素點，則終端圖像傳感器像素點至少為：

（177×2）×（177×2）=354×354=125 316

我們選用諾基亞N8手機作為標簽的接收器，該手機圖像傳感器的分辨率為4 000×3 000=1 200萬，因而有足夠的分辨率冗余度。

手機相機的光圈F為2.8，焦距fc的大小為5.9 mm，根據公式F=fc / a [8]可知手機相機鏡頭的光圈孔徑為a=fc / F=2.11 mm。手機相機圖像傳感器的尺寸是dmax=7176×5319 m，像素大小為1.8 m，但能夠分辨和識別的二維碼的最小尺寸是dmin=354×1.8 m=0.6372 mm。

本文選用精度為40 m的光繪機來制作微型二維碼，微型二維碼的模塊數為25×25，則微型二維碼碼塊尺寸d=25×40 m=1 mm。由于手機相機能夠分辨和識別的微型二維碼的最小尺寸為0.637 2 mm，而我們要制作的二維碼碼塊尺寸大于最小尺寸，因此滿足要求。

由于二維碼像尺寸d與探測距離u之間具有關系d=fca/u，所以分辨條件d≥dmin給出系統的接收距離范圍是：

u≤fca/dmin=5.9×2.11/0.637 2=12.45/0.637 2=19.54 mm

即探測距離u最大值是19.54 mm。若探測時超過這個探測距離最大值，則圖像無法正確解碼出。

本文設計的集成化發射端如圖3所示，其中小透鏡用PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）來制作，折射率為1.49，小透鏡球冠高度h=r，孔徑直徑D=2r，微型二維碼置于小透鏡的焦面上，于是得出單球面折射透鏡的焦距[9]：

根據得出的u≤fca/dmin和fb=3r，有：

得：

同時還要考慮微型二維碼圖像放大，有：

得。所以本文可取r=1.8 mm，則要制作的小透鏡焦距 fb=5.4 mm。

根據上面的數據所設計出的微型二維碼陣列和小透鏡陣列部分如圖4所示。微型二維碼陣列為39×54，碼塊尺寸為1 mm，兩碼塊之間的距離為0.5 mm；小透鏡陣列為13×18，球冠高度為1.8 mm，孔徑大小為3.6 mm，焦距為5.4 mm，兩透鏡之間的距離為0.9 mm；兩小透鏡的中心間距、微型二維碼碼塊與相鄰第三個碼塊的中心間距都為4.5 mm。

2.2 微型二維碼的制作

現將南京郵電大學使用軟件PsQREdit_chs_v2.42按照糾錯能力15%轉換為QR二維條碼，然后用激光光繪機來制作微型二維碼，其制作成的一張微型二維碼陣列部分圖如圖5所示。

2.3 小透鏡陣列的制作

小透鏡陣列是一系列口徑在幾個毫米的小型透鏡按一定排列組成的陣列[10]。由天津微納制造技術有限公司采用靜態鑄塑法制作的小透鏡陣列如圖6所示，所制作成的小透鏡陣列為13×18規格，小透鏡孔徑為3.6 mm，焦距為5.4 mm，兩透鏡之間的間隔為0.4 mm。靜態鑄塑法又稱澆鑄法，是指將已準備好的澆鑄原料注入一定的模具中，使其發生聚合反應而固化，從而得到與模具型腔相似的制件[11]。

2.4 微型二維碼與小透鏡的集成

我們先把495膠水涂抹在13×18小透鏡陣列上，接著再把微型二維碼陣列對整地粘貼在小透鏡陣列上，最后采用CO2激光切割機來切割它們，切割完后就能得到一個個微型二維碼與小透鏡的集成化小單元。

3 實驗結果

實驗時，可用LED作為光源，并調整手機相機與小透鏡之間的距離，穩定后用手機相機讀取微型二維碼，之后再用軟件PsQREdit_chs_v2.42解碼，看看解碼結果是否正確。實驗時，分別調整手機相機與小透鏡之間的距離為10 mm、19.54mm、25 mm。

當手機相機與小透鏡之間的距離為10 mm時，讀取結果和解碼結果分別如圖7所示。這時，微型二維碼在手機相機的CMOS上成像變大，圖像較模糊，但是解碼結果和編碼信息是一樣的，證明所設計的微光學標簽可行。

當手機相機與小透鏡之間的距離為19.54 mm時，讀取結果和解碼結果分別如圖8所示。這時，微型二維碼在手機相機的CMOS上成像變小，圖像最清晰，而且解碼結果和編碼信息是一樣的，證明了我們設計的微光學標簽可行。

當手機相機與小透鏡之間的距離為25 mm時，讀取結果和解碼結果分別如圖9所示。這時，微型二維碼在手機相機的CMOS上成像變得更小，圖像模糊，而且解碼結果不成功，說明了超出最遠探測距離時，用手機相機將無法識讀微型二維碼。

4 結 語

隨著物聯網技術的廣泛應用，為了能夠低成本、大規模地應用微光學標簽，微光學標簽的發射端采用集成化方式設計，從而能使微光學標簽在社會上得到普及應用。同時，接收端采用手機相機進行接收，這樣能使人們更方便地知道微光學標簽信息。微光學標簽與手機相機的結合是信息技術發展的結果，所以微光學標簽普及應用之后，手機相機就不僅僅是拍攝圖像的工具，同時也可以是信息傳遞的工具。

參 考 文 獻

[1] 中國物品編碼中心. 條碼技術與應用[M]. 北京： 清華大學出版社，2003.

[2] 計庫.二維條碼與一維條碼、RFID比較[J]. 中國自動識別技術，2008（3）：32.

[3] ANKIT Mohan， GRACE Woo， SHINSAKU Hiura， et al. RasKuBokode： imperceptible visual tags for camera based interaction from a distance [J]. ACM Transactions on Graphics， 2009，28（7）： 27-34.

[4]林武，梁忠誠，張浩.有源加密型微光學標簽的設計與制作[J].物聯網技術，2012，2（3）：25-28.

[5]張浩，梁忠誠，林武，等.無源微型可視化光學標簽系統的設計[J].物聯網技術，2012，2（4）：22-24.

[6] 石順祥，張海興，劉勁松.物理光學與應用光學[M].西安：西安電子科技大學出版社，2000.

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[9] 胡玉禧. 應用光學[M].合肥：中國科學技術大學出版社，2009.