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集成電路制造與工藝范文第1篇

1、微電子技術的發展歷程

自20世紀中期第一個集成電路研發成功之后，我們就進入了微電子技術時代，在半個多世紀的發展中，微電子技術被廣泛應用在工業生產和國防軍事領域，目前更是在商業領域中獲得極大的應用和發展。并且在長期的發展進程中，微電子技術一直是以集成電路為主要的核心代表，也逐漸形成了一定的發展規律，最典型的莫過于摩爾定律。當然，集成電路的應用領域不斷擴展也進一步刺激了微電子技術的快速發展。

在新事物的發展進程中，其發展規律和發展趨勢勢必要與需求相結合，并受需求的影響。微電子技術也不例外。在其發展進程中，微電子制造技術無疑是微電子技術最大的“客戶”，正是因為微電子制造技術提出了各種應用需要，才使得微電子技術得到了快速發展。也可以說，微電子制造技術正是微電子設計技術與產品應用技術的“中介”，是將微電子技術設計猜想轉化為實物的“橋梁”。但值得一提的是，這個實物轉化的過程也會對微電子設計技術的發展產生影響，并直接決定著微電子器件的造價與功能作用。為此我們可以認為，在微電子技術的發展中，微電子制造技術是最重要的核心技術。

2、微電子制造技術的發展與制造工藝

在半個多世紀的發展中，微電子制造技術的應用主要體現在集成電路與分立器件的生產工藝上。集成電路和分立器件在制造工藝上并無太大區別，僅僅只是兩者的功能與結構不一樣。但是受電子工業發展趨勢的影響，目前集成電路的應用范圍相對更廣，所以分立器件在微電子制造技術應用中所占的比重逐漸減少，集成電路逐漸成為其核心技術。

在集成電路的制造過程中，微電子制造技術主要被應用在材料、工藝設備以及工藝技術三方面上，并且隨著產業化的發展，這三方面逐漸出現了產業分工現象。發展到今天，集成電路的制造產業分為了材料制備、前端工藝和后端工藝三大產業，這些產業相互獨立運作，各自根據市場需求不斷發展。

集成電路的種類有多種，相關的工藝也有差異，但各類集成電路制造的基本路徑大致相同。材料制造包括各種圓片的制備，涉及從單晶拉制到外延的多個工藝，材料制造的主要工藝有單晶拉制、單晶切片、研磨和拋光、外延生長等幾個環節，但并不是所有的材料流程都從單晶拉制走到外延，比如砷化稼的全離子注入工藝所需要的是拋光好的單晶片（襯底片），不需要外延。

前端工藝總體上可以概括為圖形制備、圖形轉移和注入（擴散）形成特征區等三大步，其中各步之間互有交替。圖形制備以光刻工藝為主，目前最具代表性的光刻工藝是45nm工藝，借助于浸液式掃描光刻技術。圖形轉移的王要內容是將光刻形成的圖形轉入到其他的功能材料中，如各種介質、體硅和金屬膜中，以實現集成元器件的功能結構。注入或擴散的主要目的是通過外在雜質的進入，在硅片特定區域形成不同載流子類型或不同濃度分布的區域和結構。后端工藝則以芯片的封裝工藝為主要代表。

3、微電子制造技術的發展趨勢和主要表現形式

總體上，推動微電子制造技術發展的動力來自于應用需求和其自身的發展需要。作為微電子器件服務的主要對象，信息技術的發展需求是微電子制造技術發展的主要動力源泉。信息的生成、存儲、傳輸和處理等在超高速、大容量等技術要求和成本降低要求下，一代接一代地發展，從而也推動微電子制造技術在加工精度、加工能力等方面相應發展。

從歷史上看，第一代的硅材料到第二代的砷化稼材料以及第二代的砷化稼到以氮化稼為代表的第三代半導體材料的發展，大都是因為后一代的材料在某些方面具備更為優越的性能。如砷化稼在高頻和超高頻方面超越硅材料，氮化稼在高頻大功率方面超越砷化稼。從長遠看，以材料的優越特性帶動微電子器件及其制造技術的提升和躍進仍然是微電子技術發展的主要表現形式。較為典型的例子是氮化稼材料的突破直接帶來藍光和白光高亮LED的誕生，以及超高頻超大功率微電子器件的發展。

微電子制造技術發展的第二個主要表現形式是自身能力的提升，其中主要的貢獻來自于微電子制造設備技術的迅速發展和相關配套材料技術的同步提升。光刻技術的發展最能體現出微電子制造技術發展的這一特點。光刻技術從上世紀中期的毫米級一直發展到今天的32nm水平，光刻設備、掩模制造設備和光刻膠材料技術的同步發展是決定性因素。這方面技術的提升直接促使未來微電子制造水平的提升，主要表現在：一是圓片的大直徑化，圓片將從目前的300mm（12英寸）發展到未來的450mm（18英寸）；二是特征尺寸將從目前主流技術的45nm發展到2015年的25nm。

微電子制造技術發展的第三個表現形式是多種制造技術的融合。這種趨勢在近年來突出表現在鍺硅技術和硅集成電路制造技術的兼容以及MEMS技術與硅基集成電路技術的融合。由此可以預見的是多種技術的異類集成將在某一應用領域集中出現，MEMS可能首當其沖，比如M壓MS與MOS器件集成在同一芯片上。

4、結束語

綜上所述，在科技的推動和電子科技市場需求的影響下，微電子技術得到了快速的發展，直接帶動了以集成電路為核心的微電子制造技術水平的提升。現如今微電子制造技術已經能夠實現納米級的集成電路產品制造，為電子產片的更新換代提供了良好的材料支持。以當前科技的發展趨勢來看，微電子制造技術在未來的電子器件加工中還將會有更大的發展空間，還需要我們加強研究，不斷提高微電子制造技術水平。■

參考文獻

[1]宋奇.淺談微電子技術的應用[J].數字技術與應用.2011（03）

[2]李宗強.淺談微電子技術的發展與應用[J].科教文匯（中旬刊）.2009（01）

集成電路制造與工藝范文第2篇

關鍵詞：微電子半導體制造封裝技術

中圖分類號：TN405文獻標識碼：A文章編號：1674-098X（2019）09（c）-0070-02

微電子技術作為當今工業信息社會發展最快、最重要的技術之一，是電子信息產業的“心臟”。而微電子技術的重要標志，正是半導體集成電路技術的飛速進步和發展。多年來，隨著我國對微電子技術的重視和積極布局投入，結合社會良好的創新發展氛圍，我國的微電子技術得到了迅速的發展和進步。目前我國自主制造的集成芯片在射頻通信、雷達電子、數字多媒體處理器中已經得到了廣泛應用。但總體來看，我國的核心集成電路基礎元器件的研發水平、制造能力等還和發展較早的發達國家存在一定差距，唯有繼續積極布局，完善創新體系，才能逐漸與世界先進水平接軌。集成電路技術，主要包括電路設計、制造工藝、封裝檢測幾大技術體系，隨著集成電路產業的深入發展，制造和封裝技術已經成為微電子產業的重要支柱。本文將對微電子技術的制造和封裝技術的發展和應用進行簡要說明與研究。

1微電子制造技術

集成電路制造工藝主要可以分為材料工藝和半導體工藝。材料工藝包括各種圓片的制備，包括從單晶拉制到外延的多個工藝，傳統Si晶圓制造的主要工藝包括單晶拉制、切片、研磨拋光、外延生長等工序，而GaAs的全離子注入工藝所需要的是拋光好的單晶片（襯底片），不需要外延。半導體工藝總體可以概括為圖形制備、圖形轉移和擴散形成特征區等三大步。圖形制備是以光刻工藝為主，目前最具代表性的光刻工藝制程是28nm。圖形轉移是將光刻形成的圖形轉移到電路載體，如介質、半導體和金屬中，以實現集成電路的電氣功能。注入或擴散是通過引入外來雜質，在半導體某些區域實現有效摻雜，形成不同載流子類型或不同濃度分布的結構和功能。

從歷史進程來看，硅和鍺是最早被應用于集成電路制造的半導體材料。隨著半導體材料和微電子制造技術的發展，以GaAs為代表的第二代半導體材料逐漸被廣泛應用。直到現在第三代半導體材料GaN和SiC已經憑借其大功率、寬禁帶等特性在迅速占據市場。在這三代半導體材料的迭展中，其特征尺寸逐漸由毫米縮小到當前的14納米、7納米水平，而在當前微電子制造技術的持續發展中，材料和設備正在成為制造能力提升的決定性因素，包括光刻設備、掩模制造技術設備和光刻膠材料技術等。材料的研發能力、設備制造和應用能力的提升直接決定著當下和未來微電子制造水平的提升。

總之，推動微電子制造技術發展的動力來自于應用設計需求和其自身的發展需要。從長遠看，新材料的出現帶來的優越特性，是帶動微電子器件及其制造技術的提升的重要表現形式。較為典型的例子是GaN半導體材料及其器件的技術突破直接推動了藍光和白光LED的誕生，以及高頻大功率器件的迅速發展。作為微電子器件服務媒介，信息技術的發展需求依然是微電子制造技術發展的重要動力。信號的生成、存儲、傳輸和處理等在超高速、高頻、大容量等技術要求下飛速發展，也會持續推動微電子制造技術在加工技術、制造能力等方面相應提升。微電子制造技術發展的第二個主要表現形式是自身能力的提升，其主要來自于制造設備技術、應用能力的迅速發展和相應配套服務材料技術的同步提升。

2微電子封裝技術

微電子封裝的技術種類很多，按照封裝引腳結構不同可以分為通孔插裝式和表面安裝式。通常來說集成電路封裝技術的發展可以分為三個階段：第一階段，20世紀70年代，當時微電子封裝技術主要是以引腳插裝型封裝技術為主。第二階段，20世紀80年代，SMT技術逐漸走向成熟，表面安裝技術由于其可適應更短引腳節距和高密度電路的特點逐漸取代引腳直插技術。第三階段，20世紀90年代，隨著電子技術的不斷發展以及集成電路技術的不斷進步，對于微電子封裝技術的要求越來越高，促使出現了BGA、CSP、MCM等多種封裝技術。使引腳間距從過去的1.27mm、0.635mm到目前的0.5mm、0.4mm、0.3mm發展，封裝密度也越來越大，CSP的芯片尺寸與封裝尺寸之比已經小于1.2。

目前，元器件尺寸已日益逼近極限。由于受制于設備能力、PCB設計和加工能力等限制，元器件尺寸已經很難繼續縮小。但是在當今信息時代，依然在持續對電子設備提出更輕薄、高性能的需求。在此動力下，依然推動著微電子封裝繼續向MCM、SIP、SOC封裝繼續發展，實現IC封裝和板級電路組裝這兩個封裝層次的技術深度融合將是目前發展的重點方向。

芯片級互聯技術是電子封裝技術的核心和關鍵。無論是芯片裝連還是電子封裝技術都是在基板上進行操作，因此這些都能夠運用到互聯的微技術，微互聯技術是封裝技術的核心，現在的微互聯技術主要包含以下幾個：引線鍵合技術，是把半導體芯片與電子封裝的外部框架運用一定的手段連接起來的技術，工藝成熟，易于返工，依然是目前應用最廣泛的芯片互連技術；載體自動焊技術，載體自動焊技術可通過帶盤連續作業，用聚合物做成相應的引腳，將相應的晶片放入對應的鍵合區，最后通過熱電極把全部的引線有序地鍵合到位置，載體自動焊技術的主要優點是組裝密度高，可互連器件的引腳多，間距小，但設備投資大、生產線長、不易返工等特性限制了該技術的應用。倒裝芯片技術是把芯片直接倒置放在相應的基片上，焊區能夠放在芯片的任意地方，可大幅提高I/O數量，提高封裝密度。但凸點制作技術要求高、不能返工等問題也依然有待繼續研究，芯片倒裝技術是目前和未來最值得研究和應用的芯片互連技術。

總之，微電子封裝技術經歷了從通孔插裝式封裝、表面安裝式封裝、窄間距表面安裝焊球陣列封裝、芯片級封裝等發展階段。目前最廣泛使用的微電子封裝技術是表面安裝封裝和芯片尺寸封裝及其互連技術，隨著電子器件體積繼續縮小，I/O數量越來越多，引腳間距越來越密，安裝難度越來越大，同時，在此基礎上，以及高頻高密度電路廣泛應用于航天及其他軍用電子，需要適應的環境越來越苛刻，封裝技術的可靠性問題也被擺上了新的高度。

集成電路制造與工藝范文第3篇

【關鍵詞】集成電路版圖；CD4011B；CMOS工藝

1.引言

集成電路產業是最能體現知識經濟特征的高技術產業[1]。以集成電路為主要技術的微電子產業的高度發展促進了現代社會的電子化、信息化、自動化，并引起了人們社會生活的巨大變革。集成電路布圖設計（以下簡稱版圖設計）在集成電路設計中占有十分重要的作用。版圖設計是指集成電路中至少有一個是有源元件的兩個以上元件和部分或者全部互連線路的三維配置，或者為制造集成電路而準備的上述三維配置[2]。集成電路芯片流片成本高，必須保證較高的成品率，版圖設計人員應具有扎實理論基礎和豐富的實踐經驗。典型芯片是經過實踐檢驗性能優越，所以，通過研究已有的典型芯片版圖是提高設計能力的有效途徑。

版圖設計是在一定的工藝條件基礎上根據芯片的功能要求而設計的。目前，集成電路的主要工藝有三種，分別是雙極工藝、CMOS工藝和BICMOS工藝[3][4]。其中CMOS工藝芯片由于功耗低、集成度高等特點而應用最廣泛，所以，研究CMOS工藝芯片版圖具有更重要的意義。

本文對CD4011B芯片進行了逆向解析，通過研究掌握了該芯片的設計思想和單元器件結構，對于提高CMOS集成電路設計水平是十分有益的。

2.芯片分層拍照

3.單元結構

4.電路圖和仿真

5.結論

本文采用化學方法對CD4011B芯片進行了分層拍照，提取了電路圖，仿真驗證正確。從芯片的版圖分析，該芯片采用NMOS場效應晶體管、PMOS場效應晶體管、PN結二極管和基區電阻等器件單元，四個與非門版圖一致且對稱布局。該芯片采用典型的CMOS工藝，為了節省面積采用叉指場效應晶體管，輸入和輸出端采用防靜電保護結構。電路為典型的CMOS與非門電路。該芯片的版圖布局體現了設計的合理性和科學性。

參考文獻

[1]雷瑾亮，張劍，馬曉輝.集成電路產業形態的演變和發展機遇[J].中國科技論壇，2013，7：34-39.

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[3]朱正涌，張海洋，等.半導體集成電路[M].北京：清華大學出版社，2009.

[4]曾慶貴.集成電路版圖設計[M].北京：機械工業出版社，2008.

[5]王健，樊立萍.CD4002B芯片解析在版圖教學中的應用[J].中國電力教育，2012，31：50-51.

[6]Hastings，A.模擬電路版圖的藝術[M].北京：電子工業出版社，2008.

作者簡介：

王健（1965—），男，遼寧沈陽人，碩士，沈陽化工大學信息工程學院副教授，研究方向：微機電系統設計。

集成電路制造與工藝范文第4篇

當今社會是信息化發展迅猛的社會，各種高新技術不斷涌現出來，通信系統顯得尤為重要，通信系統與集成電路已經密不可分了。如何利用集成電路工藝設計出高性能的集成電路是電子信息技術產業急需解決的問題。該文將要簡要介紹光纖通信光電集成電路工藝設計分析。

關鍵詞：

現代；光纖通信；光電集成；路集成電路；設計分析

隨著國家的發展，社會的進步，人類的生活已經離不開通信方式了，各種各樣的交流活動都是需要通訊的傳遞的。不管我們通過何種方式、何種途徑，只要將我們想要傳遞的信息傳遞到另外一個地方，就是稱為通信。古代所傳遞信息的方式方法也是多種多樣的。但是它們相對來說特別落后，時間也會非常地久。而現代的通信方式中，電話通信是應用最廣泛的一種。

1什么是光纖通信

近幾年來，隨著技術的進步，電信管理體制的改革以及電信市場的全面開放，光纖通信的發展呈現了一番全新的景象。所謂光纖通信就是一種以光線為傳媒的通信方式，利用廣播實現信息的傳送。光纖通訊就是以光導纖維作為信號傳輸介質的通訊系統。具有抗干擾性好，超高帶寬等特點。如今社會我們使用的光纖通信有許多的優點，例如，它可以傳輸頻帶寬、通信容量大；傳輸損耗低、中繼距離長；線徑細、重量輕，原料為石英，節省金屬材料，這樣一來，節約了許多資源和能源，有利于資源合理地開發和使用；絕緣、抗電磁干擾性能強；還具有抗腐蝕能力強、抗輻射能力強、可繞性好、無電火花、泄露小、保密性強等優點，同時它也可以用在特殊環境或者軍事行動中。光纖通信的原理是：在發送端首先要把傳送的信息變成電信號，然后調制到激光器發出的激光束上，使光的強度隨電信號的幅度變化而變化，并通過光纖發送出去；在接收端，檢測器收到光信號后把它變換成電信號，經解調后恢復原信息。隨著信息技術傳輸速度日益更新，光纖技術已得到廣泛的重視和應用。在多微機電梯系統中，光纖的應用充分滿足了大量的數據通信正確、可靠、高速傳輸和處理的要求。光纖技術在電梯上的應用，大大提高了整個控制系統的反應速度，使電梯系統的并聯群控性能有了明顯提高。電梯上所使用的光纖通信裝置主要由光源、光電接收器和光纖組成。

2集成電路的實現

集成工藝技術也就是在最近的一二十年取得了飛速的發展。隨著元器件尺寸大小的不斷減小，集成電路的集成速度也在不斷地提高。發展迅速的集成電路工藝技術為通信系統的發展奠定了堅實的基礎。當下，利用光電集成電路實現的光的發射和接收裝置已經被各個實驗室所廣泛使用。光電集成電路在單片上集成的光和電元件越來越多了，這就是光電集成電路速度越來越快的原因。

3光纖通信現狀

光纖通信技術的發展帶動了光纖產業的進步。想要實現光發射與光電集成電路是非常容易的，但是想要實現高速系統的混合集成是非常困難的。由于毫米波信號是狹窄的，所以可以使用混合集成工藝來實現毫米波系統，我們可以這樣來設計集成電路及其組成部分，使其波段上的輸入和輸出阻抗保持在大約50歐姆左右，即使用50歐姆的傳輸線來連接元器件和集成電路。此外，例如激光驅動、時鐘恢復、數據判決、復接、光接收放大等各種類型的模擬、數字、混合集成電路依然可以輕松實現，這是因為電路也可以設計成輸入輸出是50歐姆的阻抗。想要利用混合方法實現高速光發射機與接收機的真正困難所在是激光二極管和光檢測器的阻抗不是50歐姆。尤其是激光二極管，他的非線性無法進行混合集成的。沒有合適的匹配網絡將基帶數據信號從激光二極管連接到驅動器或者從光檢測器連接到前置放大器上，就會大大地降低了系統的操作性能。這樣相比利用光發送和光接收的集成電路來實現是十分簡便的。利用光集成電路實現光發射和接收不僅可靠性高而且成本低。但是用光電集成電路也是具有一定的挑戰性的，制作光元件和電子電路所需要的材料是存在一定的差別的。現在制造高速光發射和接受光電集成電路在光傳輸系統中是十分必要的。這個設計工藝的難點在于要形成材料，即適合制造光電器件和電子電路所需要的制作材料，此外還要設計出光電集成電路。現實很殘酷，大家仍需努力。

4光電集成電路

光發射機光電集成電路一般是由同一底上的激光二極管和驅動電路構成的。集成電路其中包括了電子元器件結構的生長、激光、激光二極管、電阻器、晶體管等電子元件的制造，其中光電元件和金屬化連接是比較困難的。在外延生長的襯底上，大概需要三個工序來集成光電集成電路，分別為制作激光二極管、制作電子電路、進行光電元件之間的連接。首先要制作激光二極管，激光二極管的P型區域歐姆接觸層通過蒸發形成金屬狀態，隨后利用光刻法來生成激光二極管的大概區間，然后進行濕法刻蝕形成接觸激光二極管的N區區間，最后在活性離子刻蝕體系中完成刻蝕過程，直到遇到AGAAS層后停止刻蝕過程。AGAAS層能隔離電子電路機構和激光結構，形成一種薄膜電阻，從而形成第一金屬層和空氣橋兩個連接層。我們通常采用空氣橋連接激光二極管的P區，采用第一金屬層連接激光二極管的N區，這樣就能很好地實現激光二極管和電子電路層的連接。這就實現了一個量子激光器的光電集成電路了。制作光電集成電路的芯片也是存在一定的難度的，目前端面反射激光鏡的干腐蝕技術尚未成熟，只能用解離的方法來完成，所以說集成激光驅動器電路還有很大的空間有待開發。光電集成電路分別是由光檢測器、前置放大器以及主放大器構成的，這其中包括數據判決器、時鐘恢復和分接電路。光檢測器的集成是光電集成電路中最重要的一個部分，而金屬-半導體-金屬光檢測器（MSM）因為只需要少步驟的追加工藝，和如名字一般較為實惠且廣泛的材料在雪崩類型光電檢測器和p-i-n被廣泛運用的同時也被單片集成光接收機廣泛的使用著。在設計中第一級為基本放大單元，是共源放大電路且帶有源負載，電阻的反饋由電壓并聯負反饋，電平位移級使用的是兩級源級跟隨器，它被接入到后面，與此同時，又需要引進一個肖特基二極管，這樣就起到了一個降低反饋點的直流電平所特需的水平的作用，達到了這樣一個效果后，在偏低壓的條件下，電路同樣可以正常工作。

5主要工藝流程

第一步，我們要準備好充足的材料，對材料進行結構和參數方面的設計計算，并確定材料的外延生長，來確定集成方式及集成所需要的元器件。第二步，對PD臺面進行腐蝕，首先腐蝕掉INP層露出HEMT的帽層，把MSM保留在芯片上，即通過把PD臺面以外的PD層材料腐蝕掉來露出HEMT層。第三步就是進行器件的隔離工作，仍然使用臺面腐蝕的辦法將HEMT和PD元器件之間隔離起來，想要實現比較好的隔離效果就一定要準確的腐蝕到半絕緣襯底上。最后就是保護芯片的工作了，在芯片表面沉淀一層介質，這樣不僅保護了芯片表面還成為了源漏的輔助剝離介質。

6結束語

光纖通信技術作為通信產業中的支柱，是我們現如今社會中使用最多的通信方式。即使在現在的社會當中，光纖通信技術得到了十分穩定有效的發展，但是現在科技發展如此之快，越來越多的新技術涌現出來，我國的通信技術水平也得到了明顯的改善與提高，光纖通信的使用范圍和價值也在悄悄地擴張。但是光纖通信技術為了迎合網絡時代，必須有更高層次的發展，才能占據市場的主流地位。我相信隨著光通信技術更加深入地發展，光纖通信一定會對整個通信行業甚至社會的進步起到舉足輕重的作用。

參考文獻：

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集成電路制造與工藝范文第5篇

關鍵詞：集成電路設計企業；成本核算

中圖分類號：F23 文獻標識碼：A

收錄日期：2015年8月30日

一、前言

集成電路的整個產業鏈包括三大部分，即集成電路設計、生產制造和封裝及測試。由于集成電路行業在我國起步晚，目前最尖端的集成電路企業幾乎全被外資壟斷，因此國家從改革開放以來，逐年加大集成電路產業的投入。近年來，我國的集成電路企業飛速發展，規模逐年擴大。根據中國半導體行業協會統計，2015年第一季度中國集成電路產業銷售額為685.5億元。其中，IC設計銷售額為225.1億元，生產制造業銷售額為184.9億元，封裝測試銷售額為275.5億元。作為集成電路產業的IC設計得到國家的大力鼓勵發展，以期望由IC設計帶動整個中國的集成電路產業。我國的集成電路企業主要分布在長三角、珠三角、京津地區和西部的重慶、西安和武漢等。其中，長三角地區集中了全國約55%的集成電路制造企業、80%的集成電路封裝測試企業和近50%的集成電路設計企業，該區域已經形成了包括集成電路的研發、設計、芯片制造、封裝測試及其相關配套支撐等在內的完整產業鏈條。

集成電路行業是一個高投入、高產出和高風險的行業，動輒幾十億元甚至幾百億元的投入才能建成一條完整的生產線。國務院在2000年就開始下發文件鼓勵軟件和集成電路企業發展，從政策法規方面，鼓勵資金、人才等資源向集成電路企業傾斜；2010年和2012年更是聯合國家稅務總局下發文件對集成電路企業進行稅收優惠激勵，2013年國家發改委等五部門聯合下發了發改高技[2013]234號文，凡是符合認定的集成電路設計的企業均可以享受10%的所得稅優惠政策。因此，對于這樣一個高投入、高技術、高速發展的產業，國家又大力支持的產業，做好成本核算是非常必要的。長期以來，集成電路設計企業由于行業面較窄，又屬于高投入、復雜程度不斷提高的行業，成本核算一直沒有一個明確的核算方法。

二、集成電路設計生產流程

集成電路設計企業是一個新型行業的研發設計企業，跟常規企業的工作流程有很大區別，如下圖1。（圖1）集成電路設計企業在收到客戶的產品設計要求后，根據產品需求進行IC設計和繪圖，設計過程中需要選擇相應的晶圓材料，以便滿足設計需求。設計完成后需要把設計圖紙制造成光刻掩膜版作為芯片生產的母版，在IC生產環節，通過光刻掩膜版在晶圓上生產出所設計的芯片產品。生產完成后進入下一環節封裝，由專業的封裝企業對所生產的芯片進行封裝，然后測試相關芯片產品的參數和性能是否達到設計要求，初步測試完成后，把芯片產品返回集成電路設計企業，由設計企業按照相關標準進行出廠前的測試和檢驗，最后合格的芯片將會發給客戶。

對于集成電路設計企業來說，整個集成電路生產流程都需要全方位介入，每個環節都要跟蹤，以便設計的產品能符合要求，一旦一個環節出了問題，例如合格率下降、封裝不符合要求等，設計的芯片可能要全部報廢，無法返工處理，這將會對集成電路設計企業帶來很大損失。

三、成本核算方法比較

傳統企業的成本核算方法一般有下面幾種：

（一）品種法：核算產品成本的品種法是以產品的品種為成本計算對象，歸集費用，計算產品成本的一種方法。品種法一般適用于大量大批單步驟生產類型的企業，如發電、采掘等企業。在這種類型的企業中，由于產品的工藝流程不能間斷，沒有必要也不可能劃分生產步驟計算產品成本，只能以產品品種作為成本計算對象。

品種法除廣泛應用于單步驟生產類型的企業外，對于大量大批多步驟生產類型的企業或者車間，如果其生產規模小，或者按流水線組織生產，或者從原材料投入到產品產出的全過程是集中封閉式的生產，管理上不要求按照生產步驟計算產品成本，也可以采用品種法計算成本，如小型水泥廠、磚瓦廠、化肥廠、鑄造廠和小型造紙廠等。

按照產品品種計算成本，是產品成本計算最基礎、最一般的要求。不論什么組織方式的制造企業，不論什么生產類型的產品，也不論成本管理要求如何，最終都必須按照產品品種計算出產品成本。因此，品種法是最基本的成本計算方法。

（二）分批法：分批法亦稱訂單法，它是以產品的批別（或訂單）為計算對象歸集費用并計算產品成本法的一種方法。分批法一般適用于單件小批生產類型的企業，如船舶、重型機械制造企業以及精密儀器、專用設備生產企業。對于新產品的試制，工業性修理作業和輔助生產的工具模具制造等，也可以采用分批法計算成本。在單件小批生產類型企業中，通常根據用戶的訂單組織產品生產，生產何種產品，每批產品的批量大小以及完工時間，均要根據需求單位加以確定。同時，也要考慮訂單的具體情況，并結合企業的生產負荷程度合理組織產品的批次及批量。

（三）分步法：分布法是以產品的品種及其所經過的生產步驟作為成本計算對象，歸集生產費用，計算各種產品成本及其各步驟成本的一種方法。分布法主要適用于大量大批復雜生產的企業，如紡織、冶金、造紙等大批量、多步驟生產類型的企業。例如，鋼鐵企業可分為煉鐵、煉鋼、軋鋼等生產步驟。在這種企業里，其生產過程是由若干個在技術上可以間斷的生產步驟組成的，每個生產步驟除了生產出半成品（最后步驟為產品）外，還有一些處于加工階段的在產品。已經生產出來的半成品及可以用于下一生產步驟的再加工，也可以對外銷售。

（四）作業成本法：作業成本法是一個以作業為基礎的管理信息系統。它以作業為中心，作業的劃分從產品設計開始，到物料供應；從工藝流程的各個環節、總裝、質檢到發運銷售全過程，通過對作業及作業成本的確認計量，最終計算出相對準確的產品成本。同時，經過對所有與產品相關聯作業的跟蹤，消除不增值作業，優化作業鏈和價值鏈，增加需求者價值，提供有用信息，促進最大限度的節約，提高決策、計劃、控制能力，以最終達到提高企業競爭力和獲利能力，增加企業價值的目的。

由于集成電路設計企業的特殊生產工藝流程，集成電路設計企業的主要生產和封裝、測試都是在第三方廠家進行，分批法、分步法和作業成本法都不太適合作為集成電路設計企業的成本核算方法，所以品種法將作為集成電路設計企業的基礎成本核算方法。

四、IC產品的品種法

品種法作為一種傳統的成本核算方法，在集成電路設計企業里是十分實用的。由于集成電路設計企業的生產流程比較特殊，產品從材料到生產、封裝、測試，最后回到集成電路設計企業都是在第三方廠商進行，每一個環節的成本費用無法及時掌握，IC產品又有其特殊性，每種產品在生產過程中，不僅依賴于設計圖紙，而且依賴于代工的工藝水平，每個批次的合格率并不盡相同，其成品率通常只有在該種產品的所有生產批次全部回到設計企業并通過質量的合格測試入庫時才能準確得出，然而設計企業的產品并不是一次性全部生產出來，一般需要若干個批次，或許幾十上百個批次加工，在最后幾個批次返回設計企業時，早期的許多批次產品早已經發給客戶使用了，因此集成電路設計企業的按品種進行成本核算應該是有一定預期的品種法，即需要提前預估該種產品的成品率或廢品率，盡量準確核算每一個IC產品的成本。

五、結語

集成電路設計是個技術發展、技術更新非常迅速的行業，IC設計企業要在這個競爭非常激烈的行業站住腳跟或者有更好的發展，就必須緊密把握市場的變化趨勢，不斷的進行技術創新、改進技術或工藝，及時調整市場需求的產品設計方向，持續不斷的通過科學合理的成本控制手段，從技術上和成本上建立競爭優勢；同時，充分利用國家對于集成電路產業的優惠政策，特別是對集成電路設計企業的優惠政策，加大重大項目和新興產業IC芯片應用的研發和投資力度；合理利用中國高等院校、科研院所在集成電路、電子信息領域的研究資源和技術，實現產學研相結合的發展思路，縮短項目的研發周期；通過各種途徑加強企業的成本控制手段，來達到提高中國IC設計企業整體競爭實力，擴大市場份額。

主要參考文獻：

[1]中國半導體行業協會.cn.