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集成電路芯片范文第1篇

鑒定分析原則,通常在專利侵權糾紛案件中進行比對分析時都遵循以下步驟:首先,專利權保護范圍的確定,發(fā)明專利權的保護范圍應當以權利要求書中明確記載的必要技術特征所確定的范圍為準,也就是說權利要求中的全部技術特征的總和構成的技術方案才是受法律保護的客體。由于發(fā)明專利的獨立權利要求 從整體上體現(xiàn)該專利的技術方案,記載了解決技術問題的必要技術特征,與從屬權利要求相比保護范圍最大。因此,判斷被控侵權產(chǎn)品或方法是否與對比專利的技術特征相同或等同時,應當對保護范圍最大的獨立權利要求做出解釋。在解釋專利權利要求時,應當以專利權利要求書記載的技術內(nèi)容為準,而不是以權利要求書的文字或措辭為準的原則。其技術內(nèi)容應當通過參考和研究說明書,在全面考慮發(fā)明的技術領域、技術解決方案、作用和效果的基礎上加以確定。

其次,全部技術特征原則,判斷被控侵權產(chǎn)品或方法是否落入對比專利的保護范圍,應當將產(chǎn)品或方法的各技術特征分別與對比專利權利要求中的各技術特征逐一進行比對,如果被控侵權產(chǎn)品或方法包含了對比專利權利要求中的全部必要技術特征,則落入了對比專利的保護范圍。被控侵權產(chǎn)品或方法缺少對比專利的權利要求記載的一項或者多項技術特征的,或者被控侵權產(chǎn)品或方法的技術特征與對比專利權利要求記載的對應技術特征相比,有一項或者多項技術特征既不相同也不等同的,應當認定被控侵權產(chǎn)品或方法沒有落入專利權保護范圍。

再次,等同原則,專利權的保護范圍也包括與該必要技術特征相等同的特征所確定的范圍。等同原則是指被控侵權產(chǎn)品或方法中有一個或者一個以上的技術特征經(jīng)與對比專利權利要求記載的技術特征相比,從字面上看不相同,但經(jīng)過分析可以認定兩者是相等同的技術特征。等同特征需同時滿足以下兩個條件:(1)被控侵權物中的技術特征與專利權利要求中的相應技術特征相比,以基本相同的手段,實現(xiàn)基本相同的功能,達到基本相同的效果;(2)本領域的普通技術人員通過閱讀專利說明書、附圖和權利要求書,無需經(jīng)過創(chuàng)造性勞動就能夠聯(lián)想到的特征。

依據(jù)上述的鑒定原則,筆者通過閱讀專利說明書、附圖和權利要求書,解讀XXX號專利獨立權利要求1中的必要技術特征,并對芯片產(chǎn)品的上表面x射線光照圖進行分析,歸納其技術方案。

XXX號專利獨立權利要求1的技術方案包括如下技術特征:襯底和導體,在襯底的上表面上具有電路芯片、襯底信號區(qū)和電路芯片信號區(qū);在襯底的上表面上形成圖案的導體具有第一端子和第二端子,其中第一端子連接到襯底信號區(qū),第二端子連接到電路芯片信號區(qū)。

筆者在對集成電路芯片產(chǎn)品的上表面x射線光照圖以及芯片產(chǎn)品側面通孔的x射線光照圖進行分析后,得出芯片的封裝特征包括:襯底基板、頂層表面導體、電容、功率放大器管芯、電感、管腳區(qū),上述管芯通過金屬線電氣連接到襯底圖案上。將上述導體結構中包括的技術特征及其連接關系逐一與XXX號專利獨立權利要求1的上述技術特征進行分析比對后發(fā)現(xiàn),XXX號專利獨立權1中的技術特征:“在襯底的上表面上形成圖案的導體具有第一端子和第二端子,其中第一端子連接到襯底信號區(qū),第二端子連接到電路芯片信號區(qū)”與芯片產(chǎn)品的技術特征:“頂層表面導體及其連接方式”這一技術特征存在著不同。該差別主要是由于芯片產(chǎn)品的頂層表面導體具有多個端子,這多個端子有連接另一導體端子,有連接芯片信號區(qū),也有連接表貼元件焊盤,可以看出這多個端子的連接對象不同,進而所要實現(xiàn)的電路功能也是不同的。由此就可以初步認定由于導體的端子不同,即導體結構的不同,導致導體的連接方式與XXX號專利技術特征存在著明顯的差別。

然而,若直接采用對上述的集成電路芯片技術特征的分析方式會存在問題,因為上述的分析方式是將芯片產(chǎn)品技術方案中的導體技術特征作為一個整體來看,若將芯片產(chǎn)品的導體結構做進一步的拆分則又會有不同的結果,即考慮將具有多個端子的導體看作由幾個部分的兩個端子的導體構成,此時的結果是必定和權利要求1的導體技術特征相同。對此,將上表面的導體以整體來看還是將該導體進行拆分成幾個部分的兩個端子的導體是需要進一步認真考慮分析的問題。

為進一步分析,筆者針對XXX號專利獨立權利1中的技術特征“導體”從專利說明書、附圖和權利要求書進行了解讀,該權1的技術方的這一技術特征實際上保護的是實施例中的“具有繞圈形式電感”導體,導體是對這一電感的上位概念,并且通過該電感可以達到調(diào)整電感量作用,對此筆者也根據(jù)這一思路來看待芯片產(chǎn)品,通過分析芯片產(chǎn)品上表面x射線光照圖上的導體的構成,發(fā)現(xiàn)上表面上也具備“繞圈形式電感”特征的導體,其次又對其兩個端子的連接關系進行了仔細的分析。結果是XXX號專利獨立權利1中的技術特征“導體”與芯片產(chǎn)品的技術特征:“頂層表面導體及其連接方式”這一技術特征是相同的,而芯片產(chǎn)品的技術特征“導體”即使有多個端子也不妨礙這兩個特征具有相同性,因為沒有帶來實質(zhì)上的區(qū)別和技術效果。

由上述的案例可以看出,對產(chǎn)品技術方案的技術特征拆解,若采用不同的拆解方式有可能就會產(chǎn)生不同的結果,而導致判斷結論的錯誤。目前在司法實踐中判斷兩技術方案是否相同或等同的過程,采取的是逐一特征比對原則,當構成兩整體技術方案的全部技術特征中的一項或一項以上不相同且不等同,則認定兩者整體技術方案不相同,亦不等同。對此準確地對產(chǎn)品技術特征進行劃分,是很重要的,若僅是簡單拆分得出不恰當?shù)慕Y論就會給當事人以及法院帶來困擾,具體如上面的例子出現(xiàn)的情況。

集成電路芯片范文第2篇

【關鍵詞】 集成電路 超低功耗 技術研究

集成電路在不斷的發(fā)展過程中，其所具備的信息處理能力越來越高，然而集成電路板的功耗也在不斷增大，這就使得電子設備設計者在性能和功耗的選擇過程中往往只能進行折中選擇，這些都制約了電子元件的納米化發(fā)展，制約了集成電路的超大規(guī)模發(fā)展。這種憤怒格式的超低功耗技術只是通過對技術的制約來實現(xiàn)低功耗，因此超低功耗技術成為了一種制約集成電路發(fā)展的技術難題。

一、現(xiàn)有的集成電路的超低功耗可測性技術

在集成電路的發(fā)展進程中，超低功耗集成電路的實現(xiàn)是一項綜合工程，需要在材料、電路構造及系統(tǒng)的功耗之間進行選擇。可測性技術所測試出的數(shù)據(jù)影響制約著集成電路的發(fā)展。但隨著集成電路在不斷發(fā)展過程中趨于形成超大規(guī)模集成電路結構，這就導致在現(xiàn)有的測試技術中，超大規(guī)模的集成電路板容易過熱而導致電路板損壞。現(xiàn)有的超低功耗可測性技術并不能滿足對現(xiàn)有芯片的測試，并不能有效地通過對日益復雜的集成電路進行測試，因此在對超低功耗集成電路技術進行研究的同時，還要把握現(xiàn)有的集成電路的超低功耗的可測性技術不斷革新，以擺脫現(xiàn)有測試技術對集成電路板發(fā)展的制約。

二、超低功耗集成電路研究發(fā)展方向

2.1 現(xiàn)有的超低功耗集成電路技術

在實際的操作過程，超低功耗集成電路是一項難以實現(xiàn)的綜合性較強的工程，需要考慮到集成電路的材料耗能與散熱，還要考慮到系統(tǒng)之間的耗能，卻是往往在性能和功耗之間進行折中的選擇。現(xiàn)有的超低功耗集成電路大多是基于CMOS硅基芯片技術，為了實現(xiàn)集成電路的耗能減少，CMOS技術是通過在在整體系統(tǒng)的實現(xiàn)設計，對結構分布進行優(yōu)化設計、通過對程序管理減少不必要的功耗，通過簡化合理地電路結構對CMOS器材、結構空間、工藝技術間進行立體的綜合優(yōu)化折中。在實際的應用工程中，通過多核技術等結構的應用，達到降低電路集成的耗能，但是睡著電子原件的不斷更新?lián)Q代，使得現(xiàn)有的技術并不能達到性價比最優(yōu)的創(chuàng)收。

2.2 高新技術在超低功耗集成電路中的應用

隨著電子元件的不斷向納米尺度發(fā)展，集成電路板的性能得到了質(zhì)的飛躍，但是集成電路芯片的耗能也變得日益夸張，因此在集成電路板的底層的邏輯存儲器件及相關專利技術、芯片內(nèi)部的局域之間的相互聯(lián)通和芯片間整體聯(lián)匯。通過有效的超低功耗的設計方法學理論，進行合理的熱分布模型模擬預測，計算所收集的數(shù)據(jù)信息，這種操作流程成為超低耗解決方案中的不可或缺的部分。

現(xiàn)在的主要的超低功耗技術有，在集成電路的工作期間采用盡可能低的工作電壓，其中芯片的核電壓為0.85V，緩存電壓0.9V。通過電壓的有效控制能夠減少電路集成技術所運行期間所造成的熱量散發(fā)，從而導致芯片過熱。對非工作核的實行休眠的柵控功耗技術，減少芯片的運作所需要承受的功。通過動態(tài)供電及頻率技術對集成電路芯片進行有效的控制節(jié)能。為了實現(xiàn)超低功耗集成電路，需要從器材的合理結構、對電路元件材料的選擇、空間上的合理分配等多個層次進行努力。通過有效地手段減少芯片在運作過程中所存在的電力損耗，從而降電能功耗在電路總功耗中所占的比例，這樣能夠?qū)⒓呻娐钒宓暮哪苡行У乜刂啤＠酶咝虏牧闲纬捎行У亩嚅y值CMOS/功率門控制技術，對動態(tài)閥值進行數(shù)據(jù)監(jiān)控，可以有效地減少無用的做功，有效地減少器件泄漏電流。通過對多門學科知識的應用實踐及高新材料的實際應用，能夠有效地進行減少集成電路的功耗。

集成電路芯片范文第3篇

【關鍵詞】集成電路設計產(chǎn)業(yè) 發(fā)展作用 發(fā)展趨勢

1 中國集成電路設計產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷程

集成電路又稱IC（Integrated Circuit），自從1958年第一塊集成電路誕生后得到了快速的發(fā)展。在整體機中，集成電路在計算機中的應用最為廣泛，緊接著是通訊行業(yè)，然后是電子消費類行業(yè)。集成電路按結構分類可以分為單片集成電路和混合集成電路兩大類。20世紀初世界上第一個電子管面世。到20世紀60年代我國的第一塊集成電路研制成功，比世界上第一塊集成電路晚了七年的時間。而且在這期間雙極型和MOS型電路的出現(xiàn)催生了集成電路產(chǎn)業(yè)的形成。20世紀90年代PC成為IC技術和市場發(fā)展的主要推動力。到了21世紀，智能終端和汽車電子將成為IC技術和市場發(fā)展的新的推動力。

2 中國集成電路設計產(chǎn)業(yè)發(fā)展的作用

現(xiàn)代社會的數(shù)字化、網(wǎng)絡化和信息化的速度越來越快，集成電路設計產(chǎn)業(yè)在對于一個國家經(jīng)濟的發(fā)展、國防的建設、信息安全的維護以及綜合國力的提高都有重要作用。下面筆者從中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展對國民經(jīng)濟和國防安全兩個方面的重要作用進行簡單的分析。

2.1 有助于加快國民經(jīng)濟的發(fā)展

集成電路設計產(chǎn)業(yè)對國民經(jīng)濟的提高首先體現(xiàn)在計算機方面。從第一臺計算機的發(fā)明到現(xiàn)在電腦的全面普及不得不說得益于芯片集成度的提高，當然，它與集成電路設計產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展有著密切的聯(lián)系。其次是對通信領域的促進。現(xiàn)在智能手機的普及各種支付軟件的使用等都極大地方便了人們的生活，拉近了人們之間的距離。同時也推動了社會的快速發(fā)展。最后是對消費類電子領域的促進。人們從最早的黑白電視到現(xiàn)在的彩色電視，數(shù)字電視和計算機的普遍應用都可以看出集成電路設計產(chǎn)業(yè)促進了傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的更新?lián)Q代，促進了世界的進步。對加快國民經(jīng)濟的發(fā)展具有重大意義。

2.2 有益于加強國防安全的建設

計算機既是集成電路的核心也是國家和國民信息的載體。目前，微電子技術在計算機、通訊設備、導航設備、電子對抗設備等軍用設備中已經(jīng)得到廣泛的應用。這也使得微子技術的成熟水平和發(fā)展規(guī)模成為衡量一個國家軍事能力和綜合國力的重要標志。現(xiàn)代戰(zhàn)爭不再是單純武力的較量，更多的是科學技術之間的抗衡。微電子技術使人們擺脫了一些超重超大的武器裝備。所以微電子技術的使用大大提高了單兵的作戰(zhàn)能力。微電子技術促進了裝備的輕便化、提高了軍隊的隱蔽性，能大大增強部隊和武器裝備的作戰(zhàn)能力。二是提高了武器的打擊精準度。三是增強了國家和國民的信息安全性。

3 中國集成電路設計產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢

在政策支持和市場需求的帶動下，去年中國集成電路設計產(chǎn)業(yè)的發(fā)展呈現(xiàn)平穩(wěn)快速發(fā)展的態(tài)勢。中國集成電路設計產(chǎn)業(yè)在面臨新的發(fā)展機遇和挑戰(zhàn)以及新的發(fā)展重點和發(fā)展前景時又會表現(xiàn)出什么樣的發(fā)展趨勢呢？下面是筆者提出的幾點看法。

3.1 中國集成電路設計產(chǎn)業(yè)將達到世界主流水平

在2015年，中國集成電路設計產(chǎn)業(yè)在很多技術領域取得了巨大的成功。例如運用16納米FinFETplus技術的SoC芯片的設計技術的成功；28納米多晶硅生產(chǎn)工藝的成熟；4G芯片在中國市場爆炸性的增長；2015年28納米制程芯片在中芯國際的大規(guī)模生產(chǎn)；在2016年，中國在14納米級以下工藝和存儲器等多個方面實現(xiàn)突破性的進展。這些都預示著中國的集成電路設計產(chǎn)業(yè)會在2017年再創(chuàng)新佳績。并且中國的集成電路設計產(chǎn)業(yè)將有望達到世界主流水平。

3.2 中國集成電路設計產(chǎn)業(yè)將面臨更大的挑戰(zhàn)

由于中國集成電路設計與市場需求的變化不協(xié)調(diào)，致使中國的集成電路產(chǎn)業(yè)難以進入整機領域中的高端市場。首先，國內(nèi)移動智能終端產(chǎn)品形態(tài)趨于多樣化發(fā)展，這就要求集成電路在產(chǎn)品功能和技術參數(shù)方面不斷創(chuàng)造創(chuàng)新，而我國的智能終端用高端芯片領域的競爭力還不夠強。其次，我國集成電路市場約占全球總市場的57%，雖然是全球最大的集成電路市場，但是中國在市場中的權威性還很低。需求量大的CPU、存儲器等市場還是由國外企業(yè)多壟斷，這一現(xiàn)象對于芯片的國有化目標產(chǎn)生了很大的阻礙。所以國內(nèi)的集成電路設計產(chǎn)業(yè)將面臨更大的挑戰(zhàn)。最后是集成電路領域的企業(yè)并購現(xiàn)象的加劇，使國內(nèi)的競爭格局面臨重塑，國內(nèi)企業(yè)的競爭壓力也將持續(xù)增加。

3.3 智能終端和汽車電子將仍是中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主要推動力

在云計算和大數(shù)據(jù)技術的推動下，高科技走進了人們的日常生活中。能源管理、城市安全、遠端醫(yī)療、智慧家庭和智慧交通等的發(fā)展對中國集成電子領域的需求不斷加大。低耗能和小尺寸的芯片技術在智能手機和智能家電中的廣泛使用也加大了對集成電子技術的要求。隨著國內(nèi)企業(yè)芯片技術的提升，國外芯片技術壟斷中國芯片市場的現(xiàn)象將被打破。另外在2015年汽車電子的復合增長率超過了10%。由此可以看出中國的集成電路設計產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主要推動力仍將是智能終端和汽車電子。

4 結語

集成電路設計產(chǎn)業(yè)的發(fā)展對于增強國防實力、發(fā)展經(jīng)濟和提高人們生活水平和生活質(zhì)量有著密切的聯(lián)系。只有擁有高端的技術工藝，在國際中擁有重要的話語權才是綜合國力增強的主要表現(xiàn)。集成電路的發(fā)展仍向著高頻、高速、高度集成、低耗能、尺寸小、壽命長等方向展開。在21世紀，集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展仍是我國科技發(fā)展的重中之重也是信息技術發(fā)展的必然結果。在面臨大的機遇和嚴峻挑戰(zhàn)的同時，中國集成電路設計產(chǎn)業(yè)的發(fā)展必須保持穩(wěn)中求進，積極研發(fā)高端技術上來。發(fā)展自身的長處，積極彌補自身的短板達到平衡發(fā)展。

參考文獻：

[1]于宗光，黃偉.中國集成電路設計產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢[J].2014.

集成電路芯片范文第4篇

IC芯片(IntegratedCircuit集成電路)是將大量的微電子元器件(晶體管、電阻、電容等)形成的集成電路放在一塊塑基上，做成一塊芯片。而今幾乎所有看到的芯片，都可以叫做IC芯片。

集成電路（integratedcircuit）是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個管殼內(nèi)，成為具有所需電路功能的微型結構；其中所有元件在結構上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗和高可靠性方面邁進了一大步。它在電路中用字母“IC”表示。集成電路發(fā)明者為杰克·基爾比（基于硅的集成電路）和羅伯特·諾伊思（基于鍺的集成電路）。當今半導體工業(yè)大多數(shù)應用的是基于硅的集成電路

（來源：文章屋網(wǎng) ）

集成電路芯片范文第5篇

設立針對集成電路產(chǎn)業(yè)的國家級投資基金，是貫徹《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》的一項重要舉措，也是適應集成電路產(chǎn)業(yè)投資大、風險高的產(chǎn)業(yè)特征、破解集成電路產(chǎn)業(yè)融資瓶頸、創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)投資體制機制的積極探索。以此為標志，國內(nèi)芯片行業(yè)的投資大幕已經(jīng)開啟。

此前，我們多次出臺扶持政策：2000年，國務院出臺《鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》（舊“18號文”）；2008年，《集成電路產(chǎn)業(yè)“十一五”專項規(guī)劃》重點建設京津滬等地的國家集成電路產(chǎn)業(yè)園；2011年，有著“新18號文”之稱的《進一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》出臺……

14年間，多項產(chǎn)業(yè)扶持政策出臺，至今效果不彰，中國80%的芯片需求依賴進口。依據(jù)海關統(tǒng)計，2013年中國芯片進口額達2313.4億美元，同比增長20.4%，首次超過原油成為我國第一大進口商品。

為什么？因為中國芯片產(chǎn)業(yè)的關鍵癥結在于資金投入嚴重不足。

芯片產(chǎn)業(yè)被業(yè)界喻為“吞金獸”產(chǎn)業(yè)，建設一條12英寸晶圓生產(chǎn)線的投入，一般在15億-30億美元之間。但工信部數(shù)據(jù)顯示，從2008年到2013年，我國集成電路行業(yè)固定資產(chǎn)投資總額僅400億美元，平攤下來每年投資不足70億美元，而英特爾僅在2013年的投入就高達130億美元。

沒有錢，任何寬松的環(huán)境和政策都是“無源之水”，造成中國芯片產(chǎn)業(yè)大而不強。我國有約520家芯片企業(yè)，但在2012年，中國前十大芯片設計企業(yè)銷售額總計226.4億元人民幣，而高通一家的營收就達到830億元人民幣。

由于資金實力薄弱，國內(nèi)芯片企業(yè)很難靠自有資金去升級和擴展生產(chǎn)線。并且，隨著芯片業(yè)景氣值在前幾年步入低谷，風險投資也對這個產(chǎn)業(yè)敬而遠之。因此，對于投資大、風險高的產(chǎn)業(yè)，需要一支國字號的產(chǎn)業(yè)基金來作為定海神針，以破解發(fā)展瓶頸。

我們認為，投資基金成立的目的，就是為了吸引大型企業(yè)、金融機構以及社會資金，充分利用其杠桿作用起到投資帶動融資的效應，以千億規(guī)模，成倍地撬動地方、銀行和社會資本，最終匯集成萬億的龐大資金池，為中國芯片產(chǎn)業(yè)插上騰飛的翅膀。

從入股基金的公司業(yè)務布局來看，從資本到產(chǎn)業(yè)鏈的關鍵企業(yè)，再到終端設備采購商，均參與其中。籍由它們引領，芯片產(chǎn)業(yè)鏈條中的制造、設計、封裝測試、設備和材料等環(huán)節(jié)，都可能從投資基金中受惠，中國芯片業(yè)“散亂小”的現(xiàn)狀將迎來做大做強的并購整合潮。

需要指出的是，建立自我掌控的芯片產(chǎn)業(yè)，不能簡單地理解為是對國家信息安全的考慮，事實上，更具戰(zhàn)略意義的考量是，芯片產(chǎn)業(yè)是助力中國制造向“中國智造”轉型的推進器。

在撲面而來的“中國智造”時代，無論是打造物聯(lián)網(wǎng)，還是全新的智慧城市，以及智能汽車、4G應用、綠色能源等產(chǎn)業(yè)，無處不在的芯片需求將創(chuàng)造出一個巨大的內(nèi)需市場。預計到2015年市場規(guī)模將達1.2萬億元。顯然，這樣一個關乎國家長遠發(fā)展戰(zhàn)略的核心產(chǎn)業(yè)，我們不能受制于人。

還需要提及的是，國家近期還在為發(fā)展自主芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造積極條件。