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1980年前,我國半導體產業已經形成較完整的包括設備、原料、制造、工藝等方面的科研和生產體系,主要分布于原電子部(信息產業部)、中國科學院和航天部系統。
改革開放以來,經過大規模引進消化和90年代的重點建設,目前我國半導體產業已具備了一定的規模和基礎,包括已穩定生產的7個芯片生產骨干廠、20多個封裝企業,幾十家具有規模的設計企業以及若干個關鍵材料及專用設備儀器制造廠組成的產業群體,大體集中于京津、滬蘇浙、粵閩三地。
我國歷年對半導體產業的總投入約260億元人民幣(含126億元外資)?,F有集成電路生產技術主要來源于國外技術轉讓,其中相當部分集成電路前道工序和封裝廠是與美、日、韓公司合資設立。其中三資企業的銷售額約占總銷售額的88%(1998年)。民營的集成電路企業開始萌芽。
設計:集成電路的設計匯集電路、器件、物理、工藝、算法、系統等不同技術領域的背景,是最尖端的技術之一。我國目前以各種形態存在的集成電路設計公司、設計中心等約80個,工程師隊伍還不足3000人。2000年,集成電路設計業銷售額超過300萬元的企業有20多家,其中超過1000萬的約10家。超過1億的4家(華大、矽科、大唐微電子和士蘭公司)。總銷售額10億元左右。年平均設計300種左右(其中不到200種形成批量)。
現主要利用外商提供的EDA工具,運用門陣列、標準單元,全定制等多種方法進行設計。并開始采用基于機構級的高層次設計技術、VHDL,和可測性設計技術等先進設計方法。設計最高水平為0.25微米,700萬元件,3層金屬布線,主線設計線寬0.8-1.5微米,雙層布線。[1]目前,我國在通信類集成電路設計有一定的突破。自行設計開發的熊貓2000系列CAD軟件系統已開發成功并正在推廣。這個系統的開發成功,使我國繼美國、歐共體、日本之后,第四個成為能夠開發大型的集成電路設計軟件系統的國家。目前邏輯電路、數字電路100萬門左右的產品已可以用此設計。
前工序制造:1990年代以來,國家通過投資實施“908”、“909”工程,形成了國家控股的骨干生產企業。其中,中日合資、中方控股的華虹NEC(8英寸硅片,0.35-0.25微米,月投片2萬片),總投資10億美元,以18個月的國際標準速度建成,99年9月試投片,現已達產。該工程使我國芯片制造進入世界主流技術水平,增強了國內外產業界對我國半導體產業能力的信心。
摘要本文重點對半導體硅材料,GaAs和InP單晶材料,半導體超晶格、量子阱材料,一維量子線、零維量子點半導體微結構材料,寬帶隙半導體材料,光子晶體材料,量子比特構建與材料等目前達到的水平和器件應用概況及其發展趨勢作了概述。最后,提出了發展我國半導體材料的建議。
關鍵詞半導體材料量子線量子點材料光子晶體
1半導體材料的戰略地位
上世紀中葉,單晶硅和半導體晶體管的發明及其硅集成電路的研制成功,導致了電子工業革命;上世紀70年代初石英光導纖維材料和GaAs激光器的發明,促進了光纖通信技術迅速發展并逐步形成了高新技術產業,使人類進入了信息時代。超晶格概念的提出及其半導體超晶格、量子阱材料的研制成功,徹底改變了光電器件的設計思想,使半導體器件的設計與制造從“雜質工程”發展到“能帶工程”。納米科學技術的發展和應用,將使人類能從原子、分子或納米尺度水平上控制、操縱和制造功能強大的新型器件與電路,必將深刻地影響著世界的政治、經濟格局和軍事對抗的形式,徹底改變人們的生活方式。
2幾種主要半導體材料的發展現狀與趨勢
2.1硅材料